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使用金刚石对顶砧装置（DAC）将单壁和双壁CNT（左）压扁成为双层和四层GNR（右）（来源：第电力大用单NatureElectronics）研究人员还使用硝酸作为氧化剂选择性蚀刻被压扁的CNT的边缘，第电力大用单制备了边缘打开的GNR。为解决该问题,上海交通大学陈长鑫教授研究组与斯坦福大学HongjieDai教授、直接准入美国SLAC国家加速器实验室WendyL.Mao教授研究组等合作发展了一种通过联合高压和热处理将碳纳米管（CNT）压扁的方法以制备具有原子级光滑闭合边缘的亚10纳米宽的半导体性GNR。

先前研究显示，交易由于量子限域效应和边缘效应宽度小于10nm的GNR全部为半导体性，特别是当GNR宽度低于5nm时其可具有较大的带隙。户名这两种CNT样品主要包含单壁和双壁CNT。